高亮度發光二極體(LED) 磊晶與晶粒技術研發工程師 |
高亮度發光二極體(LED)磊晶及晶粒技術研發. |
| 學歷條件： |
碩士、博士 |
| 科系條件： |
電物/光電/物理/電機/
化工/材料/機械所畢 |
| 外語條件： |
英文：聽說讀寫精通 |
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| 1. |
需提供碩/博士論文(至少是目前已完成之論文企劃與內容)。 |
| 2. |
面試時需準備10~20分鐘之簡報。 |
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高亮度發光二極體(LED)製程工程師 |
InGaN LED製程研究及產品特性分析. LED前製程整合:乾蝕刻、溼蝕刻、蒸鍍、黃光及製程改善. LED後製程整合:研磨、切割、測試、分類改良及產品特性分析. |
| 學歷條件： |
碩士、博士 |
| 科系條件： |
物理/化學化工/電子/
電機/機械相關所畢 |
| 外語條件： |
英文：聽說讀寫精通 |
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| 1. |
對InGaN LED製程研究及產品特性分析有興趣者。 |
| 2. |
需提供碩/博士論文(至少是目前已完成之論文企劃與內容)。 |
| 3. |
面試時需準備10~20分鐘之簡報。 |
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高亮度發光二極體(LED)磊晶工程師 |
高亮度LED磊晶工程及產品開發。 AlGaInP / InGaN LED元件結構設計，MOCVD磊晶技術開發，磊晶片特性分析，元件特性分析。 |
| 學歷條件： |
碩士、博士 |
| 科系條件： |
物理/化學化工/電機/
電子/電物/材料所畢 |
| 外語條件： |
英文：聽說讀寫精通 |
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| 1. |
需提供碩/博士論文(至少是目前已完成之論文企劃與內容)。 |
| 2. |
面試時需準備10~20分鐘之簡報。 |
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