◎保持在MOCVD磊晶技術上的領先,持續提升LED產品效能。
◎發展磊晶層移轉技術,將LED磊晶層轉移到更好的基板上,以得到更佳的LED出 光效率,並提升LED產品的散熱
 能力與可靠度。
◎利用開發LED所產生之核心技術,開發高效率III-V族太陽電池產品。
◎設立研發中心,對短、中、長期的技術與產品進行策略規劃,並分組進行研發。
◎與封裝、應用產業之廠商合作,成立產業聯盟,共同制訂各項應用之標準與未來技術/產品藍圖。
◎與學界、研究單位合作,針對具有未來潛力的光電技術,進行長期的開發研究。

 

研發部門

北區研發一處

北區研發二處

南區研發群

研發人力小計

合計

年度

96年

現有研發人力 49 30 32 111 121
國防訓儲錄用員額數(X) 1 1 2 4
待聘研發人數(不含X) 2 2 2 6
研發經費金額 160,000 120,000 120,000 X 400,000

97年

預估在職研發人力 52 33 36 121 161
研發替代役役男需求數(X) 17 10 13 40
待聘研發人數(不含X) 0 0 0 0
研發經費金額 160,000 120,000 120,000 X 400,000

98年

預估在職研發人力 69 43 49 161 201
研發替代役役男需求數(X) 16 12 12 40
待聘研發人數(不含X) 0 0 0 0
研發經費金額 180,000 135,000 135,000 X 450,000
經費單位:仟元

經費來源

政府專案
委外/補助款

單位/公司
自籌款

民間產業專案
委託款

國外委託/
採購款

研發經費
合計

年度

96年

金額 20,000 380,000 0 0 400,000
比例(%) 5 95 0 0 100%

97年

金額 20,000 380,000 0 0 400,000
比例(%) 5 95 0 0 100%

98年

金額 20,000 430,000 0 0 480,000
比例(%) 4.44 95.56 0 0 100%