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EPISTAR LAB發表IR 850nm高效率發光產品2014/01/02

 

晶元光電研發中心 (EPISTAR LAB) 技術團隊積極投入研發,近日成功開發並導入許多前瞻性技術,如新穎性透明導電薄膜 (TCO) 材料、複合式反射鏡結構、減少光線吸收之磊晶設計等。EPISTAR LAB 將相關技術導入後,有效地增加光子萃取效率,已大幅提升IR產品效能,創下多項新紀錄。
根據最新數據顯示(如圖表一) SFPN42晶片尺寸1x1mm²,實驗室環境中在操作電流40mA下,達最高光電轉換效率75%;操作電流350mAWPE大於70%1A操作電流下.發光強度更是超越了1W,達輸出功率1027mW,領先各業界群雄,如此亮眼的水準使LED更趨於省電節能。
晶元光電秉持著實現LED無限可能之精神,持續致力於提升產品效能,目前IR 850nm產品的應用範圍除了以往的搖控器、開關等傳統應用之外,也包括保全監視、智能觸碰螢幕、無線通訊及交通系統等新應用,期望與客戶攜手將LED光源推廣到更具潛力之市場上,並期許能協助客戶提昇競爭優勢。